SiC SBD a SiC-Stroumversuergungsapparater
01 Apparatstruktur a Funktiounen
SiC kann benotzt ginn fir Héichspannungsdioden iwwer 600 V an der SBD (Schottky-Barrièrediode)-Struktur vun Héichfrequenz-Apparater ze kréien (déi héchst Spannungsbeständegkeet vun der SBD vu Si läit bei ongeféier 200 V).
Dofir, wann SiC SBD benotzt gëtt fir déi aktuell Mainstream-Produkt Fast PN Junction Diode (FRD: Fast Erhuelungsdiod), kann et d'Verloschter bei der Erhuelung däitlech reduzéieren.
Nëtzlech fir déi héich Effizienz vun der Stroumversuergung, an d'Erreeche vun der Miniaturiséierung vu passive Komponenten wéi Induktivitéiten duerch Héichfrequenzundriff, wärend och d'Rauschreduktioun geschitt. Vill benotzt a Stroumregler an Klimaanlagen, Stroumversuergungen, photovoltaesche Stroumgeneratiounssystemer, Schnellladegeräter fir Elektroautoen, a Leeschtungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC-Schaltungen) a Gläichrichterbréckschaltungen.
02 Positiv Charakteristike vu SiC SBD
D'Uschaltspannung vum SiC SBD ass déiselwecht wéi déi vum Si FRD, manner wéi 1V.
D'Uschaltspannung gëtt vun der Barrièrehéicht vun der Schottky-Barrière bestëmmt. Normalerweis, wann d'Barrièrehéicht niddreg konzipéiert ass, kann d'Uschaltspannung och méi niddreg gemaach ginn, awer dëst féiert och zu enger Erhéijung vum Leckstroum bei Réckspolung.
D'SBD vun der zweeter Generatioun vu ROHM huet duerch verbessert Produktiounsprozesser déiselwecht Leckstroum- a Réckgewinnungsleistung wéi dat aalt Produkt erfollegräich bäibehalen, während d'Uschaltspannung ëm ongeféier 0,15 V reduzéiert gouf.
D'Temperaturabhängegkeet vu SiC SBD ass anescht wéi déi vu Si FRD. Wat méi héich d'Temperatur ass, wat méi héich seng Leetungsimpedanz klëmmt, wat zu enger Erhéijung vum VF-Wäert féiert. Et ass net ufälleg fir thermesch Ausrutscher, sou datt et parallel mat Rou benotzt ka ginn.
03 Erhuelungseigenschaften vu SiC SBD 
Déi séier PN-Junction-Diode (FRD: Fast Recovery Diode) aus Si generéiert e groussen transienten Stroum am Moment vum Wiessel vu Vir- op Réckwärtsgang, während där se an en Réckwärtsverspaant Zoustand iwwergeet, wat zu bedeitende Verloschter féiert.
Dëst läit dorun, datt d'Minoritéitsträger, déi sech an der Driftschicht während der Virleitung gesammelt hunn, Stroum kontinuéierlech leeden, bis se verschwannen (dës Zäit ass och bekannt als Akkumulatiounszäit).
Wat méi grouss de Virwärtsstroum oder wat méi héich d'Temperatur ass, wat méi laang d'Erhuelungszäit an de Stroum ass, wat zu méi grousse Verloschter féiert.
Am Géigendeel ass SiC SBD en Majoritéitsträgerelement (unipolare Element), deen keng Minoritéitsträger fir d'elektresch Leedung benotzt, sou datt am Prinzip de Phänomen vun der Minoritéitsträgerakkumulatioun net optrieden. Am Verglach mat Si FRD kann et d'Verloschter däitlech reduzéieren, well de klenge Stroum generéiert gëtt, deen nëmmen d'Verbindungskapazitéit entléisst.
Ausserdeem bleift den transiente Stroum gréisstendeels onverännert mat der Temperatur an dem Virwärtsstroum, wat eng stabil a séier Erhuelung an all Ëmfeld erméiglecht.
Zousätzlech kann et och de Kaméidi reduzéieren, deen duerch den Erhuelungsstroum verursaacht gëtt, wouduerch den Effekt vun der Kaméidireduktioun erreecht gëtt.