Neiegkeeten
Detailéiert Erklärung vum héicheffiziente MOSFET Top-Hëtztofleedungspaket
Déi meescht MOSFETs, déi a Stroumversuergungsapplikatioune benotzt ginn, si Surface Mount-Geräter (SMD), dorënner Packagen wéi SO8FL, u8FL an LFPAK. De Grond, firwat dës SMDs normalerweis gewielt ginn, ass datt se eng gutt Leeschtungskapazitéit an eng méi kleng Gréisst hunn, wat hëlleft méi kompakt Léisungen z'erreechen. Och wann dës Geräter eng gutt Leeschtungskapazitéit hunn, ass den Hëtztofleedungseffekt heiansdo net ideal.
Erkläert d'Topologie vun der Schaltmodus-Stroumversuergung an engem Artikel
D'Schaltungstopologie bezitt sech op d'Verbindung tëscht Stroumversuergungsapparater an elektromagnetesche Komponenten an engem Schaltkrees, während den Design vu magnéitesche Komponenten, zougemaachte Kompensatiounsschaltkreesser an all aner Schaltkreeskomponenten vun der Topologie ofhänkt. Déi elementarst Topologien sinn Buck, Boost a Buck/Boost, Single-Ended Flyback (isoléiert Flyback), Forward, Push-Pull, Hallefbréck- a Vollbréckkonverter.
SiC SBD a SiC-Stroumversuergungsapparater
SiC kann benotzt ginn fir Héichspannungsdioden iwwer 600 V an der SBD (Schottky-Barrièrediode)-Struktur vun Héichfrequenz-Apparater ze kréien (déi héchst Spannungsbeständegkeet vun der SBD vu Si läit bei ongeféier 200 V).